Paroia (Dreno)
Mimi
Viana Do Castelo, Viana do Castelo, Portugal
O transistor MOSFET (acrônimo de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, ou transistor de efeito de campo metal - óxido - semicondutor - TECMOS), é, de longe, o tipo mais comum de transístores de efeito de campo em circuitos tanto digitais quanto analógicos. Seu princípio básico foi proposto pela primeira vez por Julius Edgar Lilienfeld, em 1925.
Índice

1 Introdução
2 Estrutura do MOSFET
3 Modos de operação do MOSFET
4 Efeito de modulação do comprimento do canal
5 Regime incremental
6 Capacitâncias parasitas de um Transistor MOSFET
7 Ver também
8 Ligações externas
8.1 Em inglês
9 Referências

Introdução
Símbolo de esquema elétrico de um MOSFET
Corte transversal de um MOSFET tipo N (NMOS)

A palavra "metal" no nome é um anacronismo vindo dos primeiros chips, onde as comportas (gates) eram de metal. Os chips modernos usam comportas de polissilício, mas ainda são chamados de MOSFETs. Um MOSFET é composto de um canal de material semicondutor de tipo N ou de tipo P e é chamado respectivamente de NMOS ou PMOS. Geralmente o semicondutor escolhido é o silício, mas alguns fabricantes, principalmente a IBM, começaram a usar uma mistura de silício e germânio (SiGe) nos canais dos MOSFETs. Infelizmente muitos semicondutores com melhores propriedades elétricas do que o silício, tais como o arsenieto de gálio, não formam bons óxidos nas comportas e portanto não são adequados para os MOSFETs. O IGFET é um termo relacionado que significa Insulated-Gate Field Effect Transistor, e é quase sinônimo de MOSFET, embora ele possa se referir a um FET com comporta isolada por um isolante não óxido.

O terminal de comporta é uma camada de polissilício (sílicio policristalino) colocada sobre o canal, mas separada do canal por uma fina camada de dióxido de silício isolante. Quando uma tensão é aplicada entre os terminais comporta (gate) e fonte (source), o campo elétrico gerado penetra através do óxido e cria uma espécie de "canal invertido" no canal original abaixo dele. O canal invertido é do mesmo tipo P ou tipo N, como o da fonte ou do dreno, assim, ele cria um condutor através do qual a corrente elétrica possa passar. Variando-se a tensão entre a comporta e a fonte se modula a condutividade dessa camada e torna possível se controlar o fluxo de corrente entre o dreno e a fonte. Existem também modelos de Amplificador operacional baseados na tecnologia FET/MOSFET, muito úteis e com grande utilização na indústria eletrônica
Estrutura do MOSFET
O MOSFET é um dispositivo de 4 terminais, Dreno (Drain), Fonte (Source), Porta (Gate), Substrato (Bulk) sendo que em circuitos discretos, normalmente só tem 3 terminais acessíveis, tendo o substrato ligado à fonte. A dopagem do poço é complementar à dos terminais. Os parâmetros de dimensionamento mais importantes são W {\displaystyle W} W a largura do canal, que condiciona a passagem de corrente no transistor, sendo proporcional a esta. O L {\displaystyle L} L é o comprimento do canal que está relacionado com o tempo de trânsito dos eletrons no canal, restrigindo assim a resposta em frequência do dispositivo.
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O transistor MOSFET (acrônimo de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, ou transistor de efeito de campo metal - óxido - semicondutor - TECMOS), é, de longe, o tipo mais comum de transístores de efeito de campo em circuitos tanto digitais quanto analógicos. Seu princípio básico foi proposto pela primeira vez por Julius Edgar Lilienfeld, em 1925.
Índice

1 Introdução
2 Estrutura do MOSFET
3 Modos de operação do MOSFET
4 Efeito de modulação do comprimento do canal
5 Regime incremental
6 Capacitâncias parasitas de um Transistor MOSFET
7 Ver também
8 Ligações externas
8.1 Em inglês
9 Referências

Introdução
Símbolo de esquema elétrico de um MOSFET
Corte transversal de um MOSFET tipo N (NMOS)

A palavra "metal" no nome é um anacronismo vindo dos primeiros chips, onde as comportas (gates) eram de metal. Os chips modernos usam comportas de polissilício, mas ainda são chamados de MOSFETs. Um MOSFET é composto de um canal de material semicondutor de tipo N ou de tipo P e é chamado respectivamente de NMOS ou PMOS. Geralmente o semicondutor escolhido é o silício, mas alguns fabricantes, principalmente a IBM, começaram a usar uma mistura de silício e germânio (SiGe) nos canais dos MOSFETs. Infelizmente muitos semicondutores com melhores propriedades elétricas do que o silício, tais como o arsenieto de gálio, não formam bons óxidos nas comportas e portanto não são adequados para os MOSFETs. O IGFET é um termo relacionado que significa Insulated-Gate Field Effect Transistor, e é quase sinônimo de MOSFET, embora ele possa se referir a um FET com comporta isolada por um isolante não óxido.

O terminal de comporta é uma camada de polissilício (sílicio policristalino) colocada sobre o canal, mas separada do canal por uma fina camada de dióxido de silício isolante. Quando uma tensão é aplicada entre os terminais comporta (gate) e fonte (source), o campo elétrico gerado penetra através do óxido e cria uma espécie de "canal invertido" no canal original abaixo dele. O canal invertido é do mesmo tipo P ou tipo N, como o da fonte ou do dreno, assim, ele cria um condutor através do qual a corrente elétrica possa passar. Variando-se a tensão entre a comporta e a fonte se modula a condutividade dessa camada e torna possível se controlar o fluxo de corrente entre o dreno e a fonte. Existem também modelos de Amplificador operacional baseados na tecnologia FET/MOSFET, muito úteis e com grande utilização na indústria eletrônica
Estrutura do MOSFET
O MOSFET é um dispositivo de 4 terminais, Dreno (Drain), Fonte (Source), Porta (Gate), Substrato (Bulk) sendo que em circuitos discretos, normalmente só tem 3 terminais acessíveis, tendo o substrato ligado à fonte. A dopagem do poço é complementar à dos terminais. Os parâmetros de dimensionamento mais importantes são W {\displaystyle W} W a largura do canal, que condiciona a passagem de corrente no transistor, sendo proporcional a esta. O L {\displaystyle L} L é o comprimento do canal que está relacionado com o tempo de trânsito dos eletrons no canal, restrigindo assim a resposta em frequência do dispositivo.
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NunoFTF 17 Jun, 2020 @ 9:42am 
Signed by NunoFTF
Puto Kindaz 9 Jun, 2020 @ 3:34am 
⣿⣿⣿⣿⣿⣿⣿⣿⣿⣿⣿⣿⣿⣿⣿⣿⣿⣿⣿⣿⣿⣿⡿⠿⠿⠿⣿⣿⣿⣿⣿⡟⠛⢿⣿⣿⡟⠛⣿⣿⣿⡟⠉⠁⣀⡀⠙⣿⣿⣿
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Puto Kindaz 2 Mar, 2018 @ 11:38am 
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　|　Windows has detected you´re really good player　
　| 　Is it true?　　　　　　
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Puto Kindaz 6 Jan, 2018 @ 12:26pm 
+Rep Nice guy ;)
Puto Kindaz 13 Dec, 2017 @ 4:13am 
╲╭━━━━╮╲╲ ╭━━━━━━━━━━━━━━━━━━━╮
╲┃╭╮╭╮┃╲╲ ┃ SE O TEU CU FOSSE STARTTRACK
┗┫┏━━┓┣┛╲ ╰┳╮O CONTADOR JA TINHA
╲┃╰━━╯┃ ━━━╯┃ REBENTADO
╲╰┳━━┳╯ \ \ \ \ \ \ \╰━━━━━━━━━━━━━━━━
WeedGamer 10 Jul, 2017 @ 9:13am 
MAGIA DO GATINHO
. ∧＿∧　
（｡･ω･｡)つ━☆・*。
⊂　　 ノ 　　　・゜+.
　しーＪ　　　°。+ *´¨)
　　　　　　　　　.• ´¸.•*´¨) ¸.•*¨)
　　　　　　　　　　(¸.•´ (¸.•'* ☆ PRA PARAR DE SER NOOBZINHO