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Happy New Year!
加油,sh国人!加油,ash!
它是由于半导体结因超过功率密度而过载并吸收太多增益产生的光能,导致腔面区域的熔化、再结晶。受影响的区域将产生大量的晶格缺陷,破坏了器件的性能。当影响区域足够大时,将在光学显微镜下观察到腔面变黑以及裂缝、沟槽等现象。COD能够在单个脉冲作用下产生,作用时间仅需不到1ms,具体所需时间与功率密度成反比。
COD是阻碍半导体激光器性能提升的限制因素之一,在短波长激光器中更易发生,是AlGaInP/AlGaAs红光激光器的主要故障模式。它发生的典型值为12~20MW/cm2。COD可以通过制备腔面钝化保护薄膜来解决。